MOSFET onsemi canal N, TO-220F 35 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 124-1764Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FQPF70N10
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

35 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Séries

QFET

Type de boîtier

TO-220F

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

23 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

62 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.16mm

Charge de Grille type @ Vgs

85 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Taille

9.19mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N QFET®, plus de 31 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Prix ​​sur demande

Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, TO-220F 35 A 100 V, 3 broches

Prix ​​sur demande

Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, TO-220F 35 A 100 V, 3 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

35 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Séries

QFET

Type de boîtier

TO-220F

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

23 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

62 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.16mm

Charge de Grille type @ Vgs

85 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Taille

9.19mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N QFET®, plus de 31 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus