Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
7 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
40 W
Gain en courant DC minimum
120
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
150 V
Tension Emetteur Base maximum
7 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
Prix sur demande
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Paquet de production (Tube)
10
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Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
40 W
Gain en courant DC minimum
120
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
150 V
Tension Emetteur Base maximum
7 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Détails du produit
Transistors NPN de puissance, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.