MOSFET onsemi canal N, SOT-23 280 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
280 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 12,55
€ 0,126 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,126 | € 1,26 |
| 250 - 490 | € 0,109 | € 1,09 |
| 500 - 990 | € 0,095 | € 0,95 |
| 1000+ | € 0,087 | € 0,87 |
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N
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280 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.92mm
Hauteur
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
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