Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
71 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
8,8 MΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
61 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V, 9 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 4,96
€ 0,496 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 4,96
€ 0,496 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,496 | € 4,96 |
100 - 240 | € 0,428 | € 4,28 |
250 - 490 | € 0,37 | € 3,70 |
500 - 990 | € 0,325 | € 3,26 |
1000+ | € 0,297 | € 2,97 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
71 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
8,8 MΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
61 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V, 9 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit