MOSFET onsemi canal N, DFN 50 A 60 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DFN EP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
13 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
46 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 112,80
€ 0,564 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,564 | € 11,28 |
| 500+ | € 0,489 | € 9,78 |
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5
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
46 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.05mm
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