MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 49 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
49 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
NVD5C668NL
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
44 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
2.38mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 96,70
€ 1,934 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 96,70
€ 1,934 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,934 | € 9,67 |
| 100 - 495 | € 1,678 | € 8,39 |
| 500 - 995 | € 1,474 | € 7,37 |
| 1000+ | € 1,342 | € 6,71 |
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N
Courant continu de Drain maximum
49 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
NVD5C668NL
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
44 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
18,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
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Taille
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