MOSFET onsemi canal N, DFN 80 A 40 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DFN EP
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
5
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
55 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.05mm
Pays d'origine
Malaysia
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
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55 W
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Single
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±20 V
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1
Largeur
6.1mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
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