MOSFET ROHM canal P, SOT-323 4 A 12 Mo, 3 broches

N° de stock RS: 124-6767PMarque: ROHMN° de pièce Mfr: RAF040P01TCL
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

12 V

Séries

RAF040P01

Type de boîtier

SOT-323

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

68 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

0.3V

Dissipation de puissance maximum

800 mW

Tension Grille Source maximum

-8 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.8mm

Longueur

2.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

37 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

0.82mm

Détails du produit

Transistors MOSFET canal P, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 26,03

€ 0,26 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 180€ 0,26€ 5,21
200 - 480€ 0,223€ 4,47
500 - 980€ 0,208€ 4,16
1000+€ 0,204€ 4,09

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P

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

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Type de boîtier

SOT-323

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

68 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

0.3V

Dissipation de puissance maximum

800 mW

Tension Grille Source maximum

-8 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.8mm

Longueur

2.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

37 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

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