Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Séries
RAF040P01
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
68 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
800 mW
Tension Grille Source maximum
-8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.82mm
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 26,03
€ 0,26 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 26,03
€ 0,26 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 180 | € 0,26 | € 5,21 |
200 - 480 | € 0,223 | € 4,47 |
500 - 980 | € 0,208 | € 4,16 |
1000+ | € 0,204 | € 4,09 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Séries
RAF040P01
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
68 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
800 mW
Tension Grille Source maximum
-8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.82mm
Détails du produit