Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Largeur
10.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 32,85
€ 3,29 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 32,85
€ 3,29 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
10 - 99 | € 3,29 |
100 - 499 | € 2,94 |
500 - 999 | € 2,59 |
1000+ | € 2,25 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Largeur
10.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit