MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 12 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
MDmesh
Type de conditionnement
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ -10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.4mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 97,80
€ 1,956 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,956 | € 97,80 |
| 100 - 200 | € 1,584 | € 79,22 |
| 250+ | € 1,426 | € 71,29 |
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ -10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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