Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
1500 V
Séries
MDmesh
Type de conditionnement
H2PAK-2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
140 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
15.8mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
29,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.8mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 8,36
€ 4,178 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
1500 V
Séries
MDmesh
Type de conditionnement
H2PAK-2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
140 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
15.8mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
29,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.8mm
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