MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 2,5 A 800 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
MDmesh K5, SuperMESH5
Type d'emballage
PowerFLAT 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
38 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.95mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 10,68
€ 2,136 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,136 | € 10,68 |
| 25 - 45 | € 2,03 | € 10,15 |
| 50 - 120 | € 1,828 | € 9,14 |
| 125 - 245 | € 1,642 | € 8,21 |
| 250+ | € 1,562 | € 7,81 |
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N
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2.5 A
Tension Drain Source maximum
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Série
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Type d'emballage
PowerFLAT 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
38 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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