MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 10 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
MDmesh
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 12,72
€ 2,543 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
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Tension de seuil minimale de la grille
2V
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-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
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10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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