Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit