MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 30 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 5 V
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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