MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 22 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
22 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh M2
Type d'emballage
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
170 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
36 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,56
€ 3,78 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,78 | € 7,56 |
| 10 - 18 | € 3,59 | € 7,18 |
| 20 - 48 | € 3,23 | € 6,46 |
| 50 - 98 | € 2,91 | € 5,82 |
| 100+ | € 2,76 | € 5,52 |
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N
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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