MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 29 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
29 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
MDmesh
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
105 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
84 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 179,16
€ 5,972 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 5,972 | € 179,16 |
| 90 - 480 | € 4,951 | € 148,54 |
| 510 - 960 | € 4,372 | € 131,15 |
| 990+ | € 3,798 | € 113,94 |
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N
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29 A
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Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
105 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
84 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
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