MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 50 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 171-3703Marque: Taiwan SemiconductorN° de pièce Mfr: TSM230N06CP ROG
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

50 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

28 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

53 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.8mm

Longueur

6.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

28 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Tension directe de la diode

1V

Taille

2.3mm

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€ 0,739 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)

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CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

28 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

53 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5.8mm

Longueur

6.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

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