Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
53 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.8mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1V
Taille
2.3mm
€ 18,48
€ 0,739 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Standard
25
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Brand
Taiwan SemiconductorType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
53 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.8mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1V
Taille
2.3mm