MOSFET Texas Instruments canal N, SON 100 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.55V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 4,5 V
Largeur
5mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
1.1mm
Séries
NexFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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N
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Type de boîtier
SON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.55V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
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Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 4,5 V
Largeur
5mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
1.1mm
Séries
NexFET
Température de fonctionnement minimum
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