MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 100 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
NexFET
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
118 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,1 nC @ 0 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 39,07
€ 0,781 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,781 | € 39,07 |
| 100 - 200 | € 0,703 | € 35,14 |
| 250 - 450 | € 0,664 | € 33,20 |
| 500 - 700 | € 0,636 | € 31,80 |
| 750+ | € 0,621 | € 31,03 |
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N
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100 A
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Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
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118 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,1 nC @ 0 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
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