MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 100 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
NexFET
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
118 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,1 nC @ 0 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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3
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20 mΩ
Mode de canal
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
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4.7mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
17,1 nC @ 0 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
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