MOSFET Texas Instruments canal P, VSON-CLIP 104 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
104 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
NexFET
Type de boîtier
VSON-CLIP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.15V
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
96 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
3.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,8 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal P, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 2,60
€ 0,521 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 2,60
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Paquet de production (Bobine)
5
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Texas InstrumentsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
104 A
Tension Drain Source maximum
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Séries
NexFET
Type de boîtier
VSON-CLIP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.15V
Tension de seuil minimale de la grille
0.65V
Dissipation de puissance maximum
96 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
3.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,8 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
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