MOSFET Toshiba canal N, PW moulé 2 5 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
2SK
Type d'emballage
PW moulé 2
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Largeur
2.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Hauteur
5.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,74
€ 0,287 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,287 | € 5,74 |
| 60 - 100 | € 0,251 | € 5,02 |
| 120 - 220 | € 0,215 | € 4,30 |
| 240 - 460 | € 0,21 | € 4,19 |
| 480+ | € 0,204 | € 4,08 |
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Nombre de broche
3
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100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Largeur
2.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Hauteur
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