MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
56 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
69 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 64,53
€ 1,291 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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4V
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Single
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1
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Longueur
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