MOSFET Toshiba canal N, DPAK (TO-252) 7 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Série
TK
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
60 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Taille
2.3mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 8) (hors TVA)
Standard
8
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N
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TK
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CMS
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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150 °C
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
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