MOSFET Vishay Siliconix canal P, SC-70-6L 10 A 40 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SC-70-6L
Série
TrenchFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
13.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Taille
1mm
Standard automobile
AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
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€ 604,77
€ 0,202 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Série
TrenchFET
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6
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
13.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Taille
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