MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8L 75 A 40 V, 4 broches

N° de stock RS: 178-3722Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SQJA76EP-T1_GE3
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

75 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Séries

TrenchFET

Type de conditionnement

PowerPAK SO-8L

Type de montage

CMS

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

66 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

66 nC @ 10 V

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 1 615,63

€ 0,539 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8L 75 A 40 V, 4 broches

€ 1 615,63

€ 0,539 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8L 75 A 40 V, 4 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

75 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Séries

TrenchFET

Type de conditionnement

PowerPAK SO-8L

Type de montage

CMS

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

66 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

66 nC @ 10 V

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus