Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
75 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
TrenchFET
Type de conditionnement
PowerPAK SO-8L
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
66 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
€ 1 615,63
€ 0,539 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 1 615,63
€ 0,539 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
75 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
TrenchFET
Type de conditionnement
PowerPAK SO-8L
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
66 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China