MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 14 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 40,74
€ 0,815 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 40,74
€ 0,815 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,815 | € 40,74 |
| 100 - 200 | € 0,773 | € 38,66 |
| 250+ | € 0,733 | € 36,64 |
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3
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Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.01mm
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