MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 5,2 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 543-0052PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRF620PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

5.2 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de conditionnement

TO-220AB

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

800 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

50 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

14 nC V @ 10

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

9.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 5,2 A 200 V, 3 broches
MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 5,2 A 200 V, 3 brochesMarque: Vishay
€ 0,536Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 8,10

€ 0,81 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 5,2 A 200 V, 3 broches
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Paquet de production (Bande)

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 8,10
11€ 8,91
12€ 9,71
13€ 10,52
14€ 11,33
15€ 12,14
16€ 12,95
17€ 13,76
18€ 14,57
19€ 15,38
20€ 16,19
21€ 17,00
22€ 17,81
23€ 18,62
24€ 19,43

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16€ 12,95
17€ 13,76
18€ 14,57
19€ 15,38
20€ 16,19
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QuantitéPrix unitaire
10 - 49€ 0,81
50 - 99€ 0,77
100 - 249€ 0,67
250+€ 0,62

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Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

5.2 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de conditionnement

TO-220AB

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

800 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

50 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

14 nC V @ 10

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

9.01mm

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