Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
37 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Taille
16.12mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 11,26
€ 1,126 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 11,26
€ 1,126 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,126 | € 11,26 |
50 - 90 | € 1,013 | € 10,13 |
100 - 240 | € 0,957 | € 9,57 |
250 - 490 | € 0,889 | € 8,90 |
500+ | € 0,732 | € 7,32 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
37 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Taille
16.12mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit