Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.5 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
750 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 2,82
€ 2,82 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 2,82
€ 2,82 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 2,82 |
10 - 49 | € 2,39 |
50 - 99 | € 2,25 |
100 - 249 | € 2,07 |
250+ | € 1,78 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.5 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
750 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit