MOSFET Vishay canal N/P, SC-89-6 190 mA, 300 mA 60 V, 6 broches

N° de stock RS: 787-9055Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI1029X-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

190 mA, 300 mA

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type d'emballage

SC-89-6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

3 Ω, 8 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

250 mW

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

1.7mm

Largeur

1.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Charge de Grille type @ Vgs

1 700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

0.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 8,44

€ 0,422 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N/P, SC-89-6 190 mA, 300 mA 60 V, 6 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 20
20€ 8,44
40€ 16,88
60€ 25,32
80€ 33,75
100€ 42,19
120€ 50,63
140€ 59,07
160€ 67,51
180€ 75,95
200€ 79,48
220€ 87,43
240€ 95,37
260€ 103,32
280€ 111,27
300€ 119,22

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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200 - 480€ 0,397€ 7,95
500 - 980€ 0,359€ 7,18
1000 - 1980€ 0,338€ 6,76
2000+€ 0,317€ 6,34

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6

Résistance Drain Source maximum

3 Ω, 8 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

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Configuration du transistor

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Longueur

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Largeur

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Matériau du transistor

Si

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2

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