Transistor MOSFET Vishay canal N, SOT-23 2,6 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
2,6 nC @ 5 V, 4,6 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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VishayType de canal
N
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2.6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
2,6 nC @ 5 V, 4,6 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
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