MOSFET Vishay canal P, SOT-23 4,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,78
€ 0,389 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Standard
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,389 | € 7,78 |
| 200 - 480 | € 0,289 | € 5,77 |
| 500 - 980 | € 0,241 | € 4,82 |
| 1000 - 1980 | € 0,214 | € 4,28 |
| 2000+ | € 0,159 | € 3,18 |
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VishayType de canal
P
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4.3 A
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20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
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