MOSFET Vishay canal N, SOIC 20 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
ThunderFET
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
7,8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
45,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, tension moyenne/ThunderFET® , Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 1 360,83
€ 0,544 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 360,83
€ 0,544 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
ThunderFET
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
7,8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
45,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, tension moyenne/ThunderFET® , Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.