MOSFET Vishay canal N, SOIC 13,6 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 710-3323Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI4162DY-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

13.6 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 3,64

€ 0,727 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, SOIC 13,6 A 30 V, 8 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 3,64
10€ 7,27
15€ 10,91
20€ 14,55
25€ 18,19
30€ 21,82
35€ 25,46
40€ 29,10
45€ 32,74
50€ 34,26
55€ 37,69
60€ 41,11
65€ 44,54
70€ 47,96
75€ 51,39

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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50 - 245€ 0,685€ 3,43
250 - 495€ 0,62€ 3,10
500 - 1245€ 0,582€ 2,91
1250+€ 0,547€ 2,73

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8 mΩ

Mode de canal

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1V

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Configuration du transistor

Single

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

5mm

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Taille

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