MOSFET Vishay canal N, SOIC 18 A 100 V, 8 broches

N° de stock RS: 787-9235Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI4190ADY-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

18 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type d'emballage

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

2.2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

6 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

44,4 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 8,06

€ 1,613 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, SOIC 18 A 100 V, 8 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 8,06
10€ 16,13
15€ 24,19
20€ 32,26
25€ 40,32
30€ 48,39
35€ 56,45
40€ 64,52
45€ 72,58
50€ 80,65
55€ 88,71
60€ 96,78
65€ 104,84
70€ 112,91
75€ 120,97

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1.5V

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Single

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Si

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Longueur

5mm

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