MOSFET Vishay canal P, PowerPAK ChipFET 9,9 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 818-1312Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI5419DU-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

9.9 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

PowerPAK ChipFET

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

33 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

31 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.98mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.08mm

Charge de Grille type @ Vgs

30 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

0.85mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 5,11

€ 0,256 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, PowerPAK ChipFET 9,9 A 30 V, 8 broches
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Production -

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20

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20€ 5,11
40€ 10,22
60€ 15,33
80€ 20,44
100€ 25,55
120€ 30,66
140€ 35,77
160€ 40,88
180€ 45,99
200€ 51,11
220€ 56,22
240€ 61,33
260€ 66,44
280€ 71,55
300€ 76,66

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P

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PowerPAK ChipFET

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8

Résistance Drain Source maximum

33 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

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31 W

Configuration du transistor

Single

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±20 V

Largeur

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Matériau du transistor

Si

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Longueur

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Charge de Grille type @ Vgs

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Taille

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