Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
9,6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
26 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
27.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
3.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-50 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,10
€ 1,01 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 10,10
€ 1,01 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,01 | € 10,10 |
100 - 240 | € 0,808 | € 8,08 |
250 - 490 | € 0,626 | € 6,26 |
500 - 990 | € 0,555 | € 5,55 |
1000+ | € 0,475 | € 4,75 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
9,6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
26 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
27.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
3.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-50 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit