MOSFET Wolfspeed canal N, A-247 90 A 1200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
34 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
463 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+25 V
Largeur
21.1mm
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
161 nC @ 20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
5.21mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.3V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
• Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 84,22
€ 84,22 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
1
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N
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
463 W
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Single
Tension Grille Source maximum
+25 V
Largeur
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Matériau du transistor
SiC
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1
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
161 nC @ 20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
5.21mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.3V
Pays d'origine
China
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Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
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