MOSFET Wolfspeed canal N, D2PAK (TO-263) 5,3 A 1700 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.3 A
Tension Drain Source maximum
1700 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
78 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +25 V
Largeur
10.99mm
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.8V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
• Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 17,46
€ 8,729 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 8,729 | € 17,46 |
| 10 - 18 | € 8,19 | € 16,38 |
| 20 - 48 | € 7,99 | € 15,98 |
| 50 - 98 | € 7,779 | € 15,56 |
| 100+ | € 7,562 | € 15,12 |
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N
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Tension Drain Source maximum
1700 V
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CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Single
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-10 V, +25 V
Largeur
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Matériau du transistor
SiC
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1
Longueur
10.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 20 V
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150 °C
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
3.8V
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Détails du produit
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Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
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• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
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