MOSFET DiodesZetex canal N, X2-DFN0806 500 mA 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
500 mA
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de conditionnement
X2-DFN0806
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
0.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,96 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 14,67
€ 0,147 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
0.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,96 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.35mm
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