Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6.4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
780 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
15,6 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,14
€ 0,103 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 5,14
€ 0,103 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6.4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
780 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
15,6 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit