Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
380 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-523 (SC-89)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
520 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 21,19
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 21,19
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
380 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-523 (SC-89)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
520 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


