MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-223 18,2 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
18.2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
17.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.55mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.55mm
Charge de Grille type @ Vgs
53,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 12,16
€ 0,608 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,608 | € 12,16 |
| 100 - 480 | € 0,535 | € 10,71 |
| 500 - 980 | € 0,521 | € 10,43 |
| 1000 - 2480 | € 0,507 | € 10,14 |
| 2500+ | € 0,496 | € 9,91 |
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
18.2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
17.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.55mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.55mm
Charge de Grille type @ Vgs
53,1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
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