MOSFET DiodesZetex canal N, E ligne 260 mA 240 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
260 mA
Tension Drain Source maximum
240 V
Type de boîtier
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-40 V, +40 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 58,55
€ 1,171 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
50
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Paquet de production (Bande)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,171 | € 5,86 |
| 100 - 245 | € 0,922 | € 4,61 |
| 250 - 495 | € 0,866 | € 4,33 |
| 500+ | € 0,845 | € 4,22 |
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N
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260 mA
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240 V
Type de boîtier
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-40 V, +40 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
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