MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 4 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,8 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.12mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 374,38
€ 0,125 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
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1
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1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,8 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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