MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-23 700 mA 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
0,7 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,8 nC @ 5 V, 3,5 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 100 à 450 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 10,93
€ 0,437 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 125 | € 0,437 | € 10,93 |
| 150 - 725 | € 0,363 | € 9,09 |
| 750 - 1475 | € 0,307 | € 7,68 |
| 1500+ | € 0,252 | € 6,31 |
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P
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0,7 A
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Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,8 nC @ 5 V, 3,5 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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