Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Matériau du transistor
Silicon
Nombre d'éléments par circuit
1
€ 70,28
€ 7,028 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 70,28
€ 7,028 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
10 - 18 | € 7,028 | € 14,06 |
20 - 48 | € 6,636 | € 13,27 |
50 - 98 | € 6,169 | € 12,34 |
100+ | € 5,701 | € 11,40 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Matériau du transistor
Silicon
Nombre d'éléments par circuit
1