Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broches
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 69,13
€ 6,913 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 69,13
€ 6,913 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
10 - 18 | € 6,913 | € 13,83 |
20 - 48 | € 6,528 | € 13,06 |
50 - 98 | € 6,066 | € 12,13 |
100+ | € 5,604 | € 11,21 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de boîtier
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broches
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium