MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 223 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
223 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Série
OptiMOS™ 5
Type d'emballage
SuperSO8 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,25 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+16 V
Largeur
6.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.49mm
Charge de Grille type @ Vgs
43 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 10,92
€ 2,184 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Résistance Drain Source maximum
1,25 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+16 V
Largeur
6.35mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
5.49mm
Charge de Grille type @ Vgs
43 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Pays d'origine
China
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MOSFET Transistors, Infineon
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