MOSFET Infineon canal N, TDSON 100 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
OptiMOS™ 5
Type d'emballage
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
139 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
95 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Taille
1.1mm
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 17,00
€ 1,70 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,70 | € 17,00 |
| 50 - 90 | € 1,615 | € 16,15 |
| 100 - 240 | € 1,546 | € 15,46 |
| 250 - 490 | € 1,478 | € 14,78 |
| 500+ | € 1,376 | € 13,76 |
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N
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100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
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TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
139 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
95 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Taille
1.1mm
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MOSFET Transistors, Infineon
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